特許

J-GLOBAL ID：200903075289241871

電子素子用ヒートシンク装置

発明者： 朴 熙 成 ,  金 光 ,  姜 鐘 泰
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-106811
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295178
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】 電子素子と接触する面の温度が一定であるように吸熱流体の流量を均一に維持できる電子素子用ヒートシンク装置を提供する。【解決手段】 流入口及び流出口がそれぞれ設けられており、吸熱流体が流動できる複数の流路を備える胴体と、流入口から遠くなるほど断面積が狭くなるように設けられて、吸熱流体が複数の流路にそれぞれ均一な流量で流入されるように案内する流入案内部と、流入案内部と同一形状に設けられて、流入案内部と共に吸熱流体が複数の流路にそれぞれ均一な流量で流れるように案内する流出案内部とを備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

電子素子用ヒートシンク装置において、 流入口及び流出口がそれぞれ設けられており、吸熱流体が流動できる複数の流路を備える胴体と、 前記流入口から遠くなるほど断面積が狭くなるように設けられて、吸熱流体が前記複数の流路にそれぞれ均一な流量で流入されるように案内する流入案内部と、 前記流入案内部と同一形状に設けられて、前記流入案内部と共に吸熱流体が前記複数の流路にそれぞれ均一な流量で流れるように案内する流出案内部とを備えることを特徴とする電子素子用ヒートシンク装置。

IPC (2件)：

H01L 23/473 ,  H05K 7/20

FI (3件)：

H01L23/46 Z ,  H05K7/20 D ,  H05K7/20 P

Fターム (8件)：

5E322AA01 ,  5E322AA07 ,  5E322BA05 ,  5E322DA04 ,  5E322EA11 ,  5E322FA01 ,  5F136CB07 ,  5F136CB08

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,253,835号明細書
  
• 米国特許第5,099,311号明細書
  
• 日本特許公開平8-233409
  
• 日本特許公開昭63-196021