特許

J-GLOBAL ID：200903075289283272

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255643
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107290
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 高い電流駆動能力を持ち、かつオフ動作時のリーク電流の少ない安定した特性の高性能半導体素子を実現する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜に活性領域(チャネル領域およびソース/ドレイン領域)が構成された薄膜トランジスタであって、上記活性領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素を含み、上記活性領域内において、ソース領域あるいはドレイン領域とチャネル領域との接合部近傍の触媒元素濃度が少なくともチャネル領域中央部より小さくしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜に、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を含む活性領域が構成された薄膜トランジスタであって、前記活性領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素を含み、前記活性領域内において、ソース領域あるいはドレイン領域とチャネル領域との接合部近傍の触媒元素濃度を少なくともチャネル領域中央部より小さくしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20