特許
J-GLOBAL ID：200903075290697625
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070526
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275684
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 基板(21)に貫通孔(22)を穿設した半導体ペレット(2)を、放熱板のグランド部(1)にSnを含むマウント材(3)によって固着した半導体装置を改良する。具体的には、マウント材(3)中のSnが貫通孔(22)内の裏面電極(26)を透過して、引き出し電極(25)と内に侵入しないようにする。【構成】 上記貫通孔(22)を閉塞する引き出し電極(25)と、貫通孔(22)内に連続して被着した裏面電極(26)との界面全面に、高融点金属のバリア層(28)を介在させる。上記バリア層(28)はWSi又はW若しくはWN或いはMoで組成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に高周波回路素子を形成すると共に、上記基板の所定位置に貫通孔を穿設し、上記貫通孔内を含めて基板裏面に連続して被着形成した裏面電極と基板引き出し電極とを上記貫通孔を介して電気的接続して配線パターンによるインダクタンス成分を軽減し、かつ、上記基板を細分割してペレット化したものをスズを含むマウント材によって放熱板のグランド部に固着した半導体装置において、上記貫通孔を閉塞する引き出し電極と貫通孔内の裏面電極との界面全面に、高融点金属からなるバリア層を介在させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/46
, H01L 29/44
, H01L 21/338
, H01L 29/812
