特許
J-GLOBAL ID：200903075293162510
ハイブリッドIC
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鎌田 文二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183990
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029688
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 ハイブリッドICのシールド層6を、ディップコーティングが可能で、かつ十分な導電性があるものとする。【構成】 まず、シールド層6をなす導電塗料として、0.05〜0.2重量部のチタネートにより表面被覆した、金属銅粉100重量部、水酸基又はメチロール基をブトキシ基としたレゾール型フェノール樹脂3〜30重量部、チキソトロピック調整剤0.5〜4重量部、アミノ化合物0.5〜3.5重量部、キレート層形成剤3.0〜10重量部を配合してなるものとする。つぎに、電子部品素子2、3を搭載した基板1を、そのグランドリード端子4aを残し、絶縁性樹脂浴に浸漬して上記保護層5を形成し、さらに前記基板1を上記導電塗料浴にグランドリード端子4aの基部に至るように浸漬して上記シールド層6を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に電子部品素子を搭載し、その上を絶縁性樹脂の保護層で被覆するとともに、所要数のリード端子をその保護層から突出させ、前記保護層上に、下記(A)乃至(D)の配合から成り、そのレゾール型フェノール樹脂の3〜30重量部が水酸基又はメチロール基をブトキシ基とした導電塗料のシールド層を形成し、そのシールド層は前記リード端子のうちのグランドリード端子のみに電気的に接続して成ることを特徴とするハイブリッドIC。記(A)0.05〜0.2重量部のチタネート、ジルコネート、またはその混合物により表面被覆した、金属銅粉100重量部(B)レゾール型フェノール樹脂5〜33重量部(C)アミノ化合物0.5〜3.5重量部(D)キレート層形成剤3.0〜10重量部
IPC (5件)：
H05K 9/00
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H05K 3/28
