特許

J-GLOBAL ID：200903075297529345

投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者： 塩澤 崇永
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360793
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204113
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ面上への露光量を適切に制御し、高解像度のパターンが得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 光源からの光束を照明装置により被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板面上に投影し露光する際、該照明装置は該光源と該被照射面との間に入射光束を2つの光束に分割し、一方の光束を該被照射面側に、他方の光束を検出器に導光する光分割部材、そして該光分割部材から該基板に至る光学系の透過率の変動情報を記憶した演算手段とを有しており、該演算手段は該透過率の変動情報と該検出器からの測定結果とを用いて該基板面上への露光量を決定していること。

請求項（抜粋）：

光源からの光束を照明装置により被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板面上に投影し露光する際、該照明装置は該光源と該被照射面との間の光路中に入射光束を少なくとも2つの光束に分割し、そのうち一方の光束を該被照射面側に、他方の光束を積算光量検出器に導光する光分割部材、そして該光分割部材から該基板に至る光学系の透過率の変動情報を記憶した演算手段とを有しており、該演算手段は該透過率の変動情報と該積算光量検出器からの積算光量測定結果とを用いて該基板面上への露光量を決定していることを特徴とする投影露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-177578   出願人：株式会社ニコン