特許

J-GLOBAL ID：200903075302962672

半導体シリコンウェーハの洗浄方法

発明者： 中野 正己 ,  内山 勇雄 ,  高松 広行
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205321
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069990
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体シリコンウェーハ表面への微粒子の付着を効果的かつ充分に抑制、低減することができる半導体シリコンウェーハの洗浄方法を提供する。【構成】 フッ酸水溶液を用いて半導体シリコンウェーハを洗浄し、ついで該半導体シリコンウェーハを純水を用いて水洗する半導体シリコンウェーハの洗浄方法において、上記フッ酸水溶液中に界面活性剤を添加しかつ上記純粋中にオゾンを含有せしめる。

請求項（抜粋）：

フッ酸水溶液を用いて半導体シリコンウェーハを洗浄し、ついで該半導体シリコンウェーハを純水を用いて水洗する半導体シリコンウェーハの洗浄方法において、上記フッ酸水溶液中に界面活性剤を添加しかつ上記純水中にオゾンを含有せしめることを特徴とする半導体シリコンウェーハの洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 3/08 ,  C11D 3/04 ,  C11D 7/02 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-228328
  
• 特開昭58-055323
  
• 特開平1-183824