細長い基板の上にマイクロ構造体および薄膜半導体装置を連続的に製造する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142260
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224111
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】連続処理用アレイ体にリソグラフィ技術を応用して、マイクロ構造体および薄膜半導体装置を連続的に製造する方法。【構成】前記製造法は、細長い基板を予め定められた経路に沿って縦方向に移動し前記基板の表面の少なくとも一部分に半導体材料を適用する段階と、前記半導体材料の上にレジストを適用する段階と、前記レジストを予め焼き出す段階と、前記レジストに予め定められた半導体装置パターンを露出する段階と、前記露出されたレジストを現像する段階と、前記露出されたレジストが配置された材料の上に予め定められたパターンをエッチングするまたはデポジットする段階と、前記半導体材料から残っているレジストを除去する段階と、前記基板を選定された長さに切断し、後でこれらの切断部分体を束ねまたは組み立てる8つの工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ) 細長い基板を予め定められた経路に沿って縦方向に移動する段階と、(ロ) 前記経路に沿った第1ステーションにおいて前記基板の少なくとも一部分に半導体材料を適用する段階と、(ハ) 前記経路に沿いかつ前記第1ステーションから前記基板の移動方向にある第2ステーションにおいて、前記半導体材料上にレジストを適用する段階と、(ニ) 前記経路に沿いかつ前記第2ステーションから前記基板の移動方向にある第3ステーションにおいて、前記レジストを設定する段階と、(ホ) 前記経路に沿いかつ前記第3ステーションから前記基板の移動方向にある第4ステーションにおいて、前記レジストに予め定められた半導体装置パターンを露出する段階と、(ヘ) 前記経路に沿いかつ前記第4ステーションから前記基板の移動方向にある第5ステーションにおいて、前記露出されたレジストを現像する段階と、(ト) 前記経路に沿いかつ前記第5ステーションから前記基板の移動方向にある第6ステーションにおいて、その上に前記露出されたレジストが配置された前記半導体材料に予め定められた半導体パターンをエッチング/付着する段階と、(チ) 前記経路に沿いかつ前記第6ステーションから前記基板の移動方向にある第7ステーションにおいて、前記半導体材料から残っているレジストを除去する段階と、を有する、移動する細長い基板の上に半導体装置を製造する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/30 341 P , H01L 21/30 301 A , H01L 21/30 361 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特許第5106455号
特開平4-147147
特開平1-256137

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