特許
J-GLOBAL ID：200903075312765360
半導体発光素子アレイの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-315431
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163986
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 発光素子アレイの製造工程を簡素化し、かつ任意の大きさの発光素子アレイを製造可能とすること。【構成】 この発明の半導体発光素子アレイの製造方法は、任意の大きさの半導体発光素子をアレイ状に形成した半導体発光素子アレイを製造するにあたり、p-n接合を形成したIII-V族半導体基板に全面電極を形成した後、集束イオンビームを用いて基板上の任意の場所をスパッタエッチングすることにより素子分離を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
任意の大きさの半導体発光素子をアレイ状に形成した半導体発光素子アレイを製造する方法であって、p-n接合を形成したIII-V族半導体基板に全面電極を形成した後、集束イオンビームを用いて基板上の任意の場所をスパッタエッチングすることにより素子分離を行うことを特徴とする半導体発光素子アレイの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/302
, H01L 21/76
, H01S 3/18
