特許
J-GLOBAL ID：200903075315960580
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023188
公開番号（公開出願番号）：特開2002-230989
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 高感度のセンスアンプ構成を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置では、アレイセル側の検出電流を電圧に変換するNMOSダイオードN5と並列に定電流回路C0を配置し、リファレンスセル側の検出電流を電圧に変換するNMOSダイオードN6と並列に定電流回路C1を配置する。定電流回路C0,C1により、オフセット電流Icomを流す。差動アンプ2の2つの入力電圧の差が広がる。
請求項（抜粋）：
不揮発性のメモリセルと、前記メモリセルの記憶データを判別するためのリファレンスセルと、第1入力ノードの電圧と第2入力ノードの電圧との差を検出する差動アンプと、前記第1入力ノードに接続され、前記メモリセルからの第1読出電流を電圧に変換するための第1電流電圧変換素子と、前記第2入力ノードに接続され、前記リファレンスセルからの第2読出電流を電圧に変換するための第2電流電圧変換素子と、前記第1および第2読出電流の電流値を調整することにより、前記差動アンプの検出感度を調整するゲイン調整回路とを備える、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C 17/00 634 D
, G11C 17/00 632 Z
, G11C 17/00 634 E
, G11C 17/00 641
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD06
, 5B025AD07
, 5B025AD09
, 5B025AE05
, 5B025AE06
, 5B025AE08
