特許

J-GLOBAL ID：200903075318034228

半導体装置及びその製造方法及び半導体チップ及びその実装方法

発明者： 大平 廣吉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260118
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068738
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 信頼性に富み、応力に変形し難い外部接続部を構成する半導体装置及びその製造方法及び半導体チップ及びその実装方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜11上とこのパッド12上の周囲部に保護膜(パッシベーション膜)13が形成されている。保護膜13上にさらに厚い保護膜14が形成されている。この保護膜14は、パッド12上が開口された形態を有し、樹脂系の硬化部材である。保護膜14は、耐熱性の優れるポリイミドが好ましい。保護膜14の開口部内にパッド12と接続された金属積層15及び電極部材16が形成されている。電極部材16は保護膜14の開口部形状に応じてパッド12上に設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の集積回路に関係する所定の配線層に接続された電極領域と、前記電極領域周辺の第1保護膜と、前記第1保護膜上の第2保護膜と、前記電極領域上に形成された金属積層と、前記第2保護膜の開口形状に応じて前記金属積層上に設けられた電極部材と、を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/88 T

Fターム (24件)：

5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH23 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX13 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE11 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04