集積無機/有機相補型薄膜トランジスタ回路およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-555282
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518844
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】集積有機/無機相補型薄膜トランジスタ回路は、動作的に接続されると共に、共通基板上に設けられた第1及び第2のトランジスタを備え、第1のトランジスタは、無機薄膜トランジスタであると共に、第2のトランジスタは、有機薄膜トランジスタである。無機薄膜トランジスタは、n型トランジスタであり、有機薄膜トランジスタは、p型トランジスタであるか、またはその逆も言える。トランジスタのおのおのは、個別ゲート電極を有し、有機能動半導体材料は、p型半導体の場合、無機薄膜トランジスタから電気的に絶縁分離した有機薄膜トランジスタに含まれている。この種のトランジスタ回路を製造する第1の方法において、個別ゲート電極が各トランジスタに対して共通基板上に被着され、有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極用材料が有機薄膜トランジスタの薄膜構造の同一の層のレベルに被着され、かつ各ケースにて、有機p型トランジスタの有機能動半導体材料が無機n型トランジスタから電気的に絶縁分離して設けられると共に、有機n型トランジスタの有機能動半導体材料は、無機p型トランジスタから付随的に電気的に絶縁分離して設けられる。

請求項（抜粋）：

動作的に接続されると共に、共通の基板上に設けられた第1及び第2のトランジスタを備えた集積無機/有機相補型薄膜トランジスタ回路であって、前記第1のトランジスタが無機薄膜トランジスタであると共に、前記第2のトランジスタが有機薄膜トランジスタであり、前記相補型薄膜トランジスタ回路が多層薄膜構造を形成してなる前記集積無機/有機相補型薄膜トランジスタ回路において、前記無機薄膜トランジスタがn型トランジスタであり、かつ前記有機薄膜トランジスタがp型トランジスタであるか、またはその逆であり、この際、各ケースの前記有機能動トランジスタ材料がそれぞれp型有機半導体材料またはn型有機半導体材料であり、個別ゲート電極が前記トランジスタのおのおのに対して設けられ、各ケースの有機p型トランジスタの前記有機能動半導体が前記無機n型トランジスタから電気的に絶縁分離して設けられ、かつ有機n型トランジスタの前記有機能動半導体が前記無機p型トランジスタから電気的に絶縁分離して付随的に設けられたことを特徴とする前記相補型薄膜トランジスタ回路。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 51/00

FI (4件)：

H01L 29/78 613 A , H01L 27/08 321 A , H01L 29/28 , H01L 29/28 618 B

Fターム (29件)：

5F048AA04 , 5F048AA09 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB11 , 5F048BC01 , 5F048BE08 , 5F048BF01 , 5F048BG03 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG15 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN27

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