特許

J-GLOBAL ID：200903075320215388

半導体レ-ザ装置

発明者： ジョン レニー ,  岡島 正季 ,  波多腰 玄一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071731
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175605
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、しきい値電流密度,最大動作温度等のレ-ザ特性に優れた実用的な半導体レ-ザ装置を提供することを目的とする。【構成】GaAs基板1上に形成されたIny (Ga1-X AlX )1-y Pからなる活性層がInZ (Ga1-X AlX )1-Z Pからなるn型,p型クラッド層2,5で挾持されたDH構造を有する半導体レ-ザ装置において、p型クラッド層5の一部を多重量子障壁構造にし、且つ量子障壁数を3〜10個としたことを特徴とする半導体レ-ザ装置。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1の半導体の活性層と、この活性層を挾持する互いに導電型の異なる第2の半導体のクラッド層及び第3の半導体のクラッド層とを具備してなり、前記クラッド層の少なくとも一方が量子障壁数が3〜10個の多重量子障壁構造を有するInZ (Ga1-X AlX )1-Z Pからなることを特徴とする半導体レ-ザ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-273491
  
• 特開昭63-046788