特許

J-GLOBAL ID：200903075320724720

電子増倍素子

発明者： 高 橋 幸 郎
出願人/特許権者： 高橋 幸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-207618
公開番号（公開出願番号）：特開平6-176734
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 電子増倍素子の製造に大量生産性に優れた半導体微細加工技術を適用した構造及び製法を用いることにより、低価格の電子増倍素子の供給を可能にする。【構成】 光露光法または電子ビーム露光法により、一またはそれ以上の微細図形を転写現像した後、エッチングによりこの図形に対応した開口部を有する基板1の片面又は両面上にマスクを形成し、これを用いて液体化学薬品またはプラズマガスを用いたエッチング、あるいはイオンビームエッチング法のいずれか、あるいはこれらの組み合わせにより、該基板の表裏を貫通する微細孔2を該基板に形成し、その内壁に化学的気相成長法により二次電子増倍膜3を成長させて製作される電子増倍素子。

請求項（抜粋）：

光露光法又は電子ビーム露光法により一つ又はそれ以上の微細図形を転写現像した後、エッチングにより該図形に対応した開口部を有するマスクを基板の片面又は両面上に形成し、これを用いて液体状化学薬品又はプラズマガスによるエッチング法、あるいはイオンビームエッチング法のいずれか或いはこれらの組み合わせにより、該基板の表裏を貫通する微細孔を該基板に形成し、前記微細孔内壁に化学的気相成長法を用いて二次電子増倍膜を成長させて製作される電子増倍素子。