特許
J-GLOBAL ID：200903075323823095
液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082405
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274993
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：
【要約】【課題】 エピ成長後の原料廃液を効果的に排出し,高品質のエピタキシャル成長基板を得る。【解決手段】 原料廃液排出口には,成長容器内の原料廃液を略同時に略均一に排出するための複数の開口部114が形成されており,シャッタ108は,原料廃液排出口の開口部114と略同一の開口部106が略同一位置に形成されており,シャッタ108を所定距離だけスライドすることにより,原料廃液排出口114から原料廃液が略同時に略均一に排出される。
請求項（抜粋）：
その底部に成長後の原料廃液を排出するための原料廃液排出口が形成される成長容器と,前記原料廃液排出口の閉鎖及び開放自在なシャッタとを具備する液相エピタキシャル装置であって,前記原料廃液排出口は,前記成長容器内で略同時に略均一に原料廃液を排出するための複数の開口部が配されて形成されると共に,前記シャッタは,前記原料廃液口と略同一の開口部が略同一位置に形成されており,前記シャッタが前記原料廃液口の開口部を閉鎖する第1の位置から,前記原料廃液排出口の開口部と前記シャッタの開口部が略一致する第2の位置に移動することにより,前記成長容器内の原料廃液が略同時に略均一に排出される,ことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
Fターム (6件)：
4G077AA03
, 4G077BE47
, 4G077CG01
, 4G077EG07
, 4G077QA02
, 4G077QA58
