特許

J-GLOBAL ID：200903075323833945

薄膜評価装置、薄膜評価方法、半導体シミュレーション装置、半導体シミュレーション方法、薄膜評価プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びシミュレーションプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

発明者： 牛久 幸広 ,  泉 聡志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181002
公開番号（公開出願番号）：特開2000-009553
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 温度と共に構造の変化する薄膜の物性値パラメータを正しく知りうる薄膜評価装置・方法、半導体シミュレーション装置・方法、薄膜評価プログラム及びシミュレーションプログラムを格納した記録媒体を提供する。【解決手段】 状態量計算手段51と、状態量計算手段51とは独立に薄膜材料の真性応力と構造変化に伴う粘性係数を計算する応力計算手段52とを含む演算部5を少なくとも具備して、薄膜評価装置を構成し、薄膜評価や半導体シミュレーションを行う。状態量計算手段51は、薄膜の状態を互いに異なる構造を有した複数の状態の混合状態として捉え、それぞれの状態に対応した複数の状態量を設定し、この状態量の変化を計算する。基板加熱機構31を内蔵し、基板33の加熱に伴う薄膜34の曲率半径の変化を測定し、測定結果を演算部5に出力する計測チャンバー1を更に有している。

請求項（抜粋）：

薄膜の状態を互いに異なる構造を有した複数の状態の混合状態として捉え、それぞれの状態に対応した複数の状態量を設定し、この状態量の変化を計算する状態量計算手段と、該状態量計算手段とは独立に、該状態量計算手段の中間出力を入力として用いて薄膜材料の真性応力と構造変化に伴う粘性係数の少なくとも一方を求める応力計算手段とを含む演算部を少なくとも具備する薄膜評価装置。

IPC (2件)：

G01L 1/00 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

G01L 1/00 Z ,  H01L 21/66 Z

Fターム (7件)：

4M106BA04 ,  4M106CA31 ,  4M106CA47 ,  4M106CA52 ,  4M106CA70 ,  4M106DH44 ,  4M106DJ21