半導体レーザー装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260777
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】端面コート誘電体膜形成に要する時間を短くし、製造工程の効率を高め、端面コート誘電体膜の膜厚のばらつきを十分に小さくし、端面コート誘電体膜形成の際の半導体レーザー素子の共振器端面の温度上昇に伴う特性劣化を少なくし、半導体レーザー素子から端面コート誘電体膜を剥がれにくくして信頼性を高める。【解決手段】半導体レーザー素子1の共振器端面に光学長が100分の1波長より長く10分の1波長より短い膜厚の例えば酸化アルミニウム,酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン等からなる前端面コート誘電体膜2と後端面コート誘電体膜3とを被着している。この端面コート誘電体膜2,3の膜厚は、好ましくは光学長が50分の1波長より長く13分の1波長より短く設定する。さらに好ましくは、光学長が50分の1波長より長く20分の1波長より短く設定する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザー素子の少なくとも一方の共振器端面に、光学長が100分の1波長より長く10分の1波長より短い膜厚の端面コート誘電体膜を被着したことを特徴とする半導体レーザー装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-060884
特開昭57-060884

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