特許
J-GLOBAL ID:200903075325306837
半導体レーザー装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-071900
公開番号(公開出願番号):特開平9-260777
出願日: 1996年03月27日
公開日(公表日): 1997年10月03日
要約:
【要約】【課題】 端面コート誘電体膜形成に要する時間を短くし、製造工程の効率を高め、端面コート誘電体膜の膜厚のばらつきを十分に小さくし、端面コート誘電体膜形成の際の半導体レーザー素子の共振器端面の温度上昇に伴う特性劣化を少なくし、半導体レーザー素子から端面コート誘電体膜を剥がれにくくして信頼性を高める。【解決手段】 半導体レーザー素子1の共振器端面に光学長が100分の1波長より長く10分の1波長より短い膜厚の例えば酸化アルミニウム,酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン等からなる前端面コート誘電体膜2と後端面コート誘電体膜3とを被着している。この端面コート誘電体膜2,3の膜厚は、好ましくは光学長が50分の1波長より長く13分の1波長より短く設定する。さらに好ましくは、光学長が50分の1波長より長く20分の1波長より短く設定する。
請求項(抜粋):
半導体レーザー素子の少なくとも一方の共振器端面に、光学長が100分の1波長より長く10分の1波長より短い膜厚の端面コート誘電体膜を被着したことを特徴とする半導体レーザー装置。
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭57-060884
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特開昭57-060884
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