特許

J-GLOBAL ID：200903075329067837

半導体装置とその製造方法

発明者： 松本 信之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122312
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327829
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】有機導電性物質膜の加工方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に形成された有機導電性物質膜(例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリエチレンサルフォネート混合物からなる膜)の任意の場所に、エネルギー線を照射することによって、未照射部よりも照射部を高抵抗化できるので、金属電極と半導体層のコンタクト抵抗を低減する効果や、半導体装置の表面段差を低減することによって、パッシベーション膜の形成が良好になる効果が生じる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

同一膜中に低抵抗部と高抵抗部を備えた有機導電性物質膜からなり、低抵抗部が電極又はオーミックコンタクトであることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (8件)：

H01L21/28 301Z ,  H01L21/28 D ,  H01L21/88 B ,  H01L21/88 M ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V

Fターム (97件)：

4M104AA01 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD78 ,  4M104DD88 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF14 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH00 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH25 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ00 ,  5F033KK01 ,  5F033MM07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ68 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS13 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX33 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11