特許
J-GLOBAL ID：200903075330851088
半導体センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068744
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283419
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 重錘体の中心と中央厚肉部の中心をほぼ一致させ、物理量の検出精度を良くする。【構成】 半導体基板からなる第1基板1のほぼ中心に位置する中央厚肉部14と、中央厚肉部14の周囲に位置する薄肉状の薄肉部13と、薄肉部13の周囲に位置する周辺厚肉部15と、第2基板2を分離することによって第2基板2の一部から形成され中央厚肉部14に接合される重錘体22と、第2基板の他の一部から形成され周辺厚肉部15に接合される支持体21と、からなる半導体センサにおいて、第2基板2と第1基板1を接合した後に第2基板2の第2面を加工することによって、第2基板2を分離するときに用いられる加工マークを第2基板2の第2面に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板からなる第1基板のほぼ中心に位置する中央厚肉部と、該中央厚肉部の周囲に位置する薄肉状の薄肉部と、該薄肉部の周囲に位置する周辺厚肉部と、第2基板を分離することによって前記第2基板の一部から形成され前記中央厚肉部に接合される重錘体と、前記第2基板の他の一部から形成され前記周辺厚肉部に接合される支持体と、からなる半導体センサにおいて、前記第2基板と前記第1基板を接合した後に前記第2基板の第2面を加工することによって、前記第2基板を分離するときに用いられる加工マークが前記第2基板の第2面に形成されていることを特徴とする半導体センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 1/22
, G01P 15/12
