特許
J-GLOBAL ID：200903075330877354
半導体発光素子
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004244
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】 従来より欠陥密度が小さく、しきい値電流密度が小さい、Nを含有するIII-V族化合物より構成される半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型SiC(0001)基板1上にGaInN5活性層とこの活性層5をはさむガイド層4、6およびこのガイド層をはさむクラッド層3、7によりダブルヘテロ構造が構成される。クラッド層にAl0.19Ga0.77In0.04Nを用いることにより、このクラッド層は、GaNに格子整合し、その結果、層内の欠陥密度が10-7台以下になり、従来よりしきい値電流密度が小さなNを含有するGaN系の半導体レーザが実現できる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に積層されており、少なくとも1層がAl、Ga、InおよびNを同時に含むIIIーV族化合物半導体層からなり、前記化合物半導体層のダブルヘテロ構造を有している半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
