特許
J-GLOBAL ID：200903075335381411
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033206
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223757
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトホ-ル下部に対して上部の開孔径を大きくし、かつホ-ル内部に角の部分が存在しない形状を、下層配線の主材料がアルミニウムであっても実現する。【解決手段】 半導体基板内又は半導体基板の上方に形成した導電層20上に絶縁膜30を形成し、この絶縁膜30上に当該絶縁膜30と異なる材料からなる絶縁膜40を形成する。次に、絶縁膜40に絶縁膜30に達する開孔を形成し、前記開孔の上部に上に凸の丸みを物理スパッタリングにより形成する。しかる後、絶縁膜40をマスクとして絶縁膜30に導電層20に達する開孔を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板内又は半導体基板の上方に形成した導電層上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に前記第1の絶縁膜と異なる材料からなる第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に前記第1の絶縁膜に達する開孔を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に形成した前記開孔の上部に上に凸の丸みを物理スパッタリングにより形成する工程と、前記第2の絶縁膜をマスクとして、絶縁膜第1の絶縁膜に前記導電層に達する開孔を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 B
, H01L 21/302 M
