特許
J-GLOBAL ID：200903075338617572
薄膜電子源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208620
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】下部電極-絶縁層-上部電極の三層構造を有する薄膜型電子源において、絶縁層の耐電圧性を向上させることにより薄膜型電子源の寿命および電子放出特性を向上させる。【解決手段】絶縁層としてダイヤモンド薄膜を用い、上部電極としてダイヤモンド薄膜表面に形成した水素吸着層,アルカリ金属吸着層またはグラファイト層を用いる。
請求項（抜粋）：
上部電極と下部電極の間に絶縁層を有する薄膜電子源において、絶縁層としてダイヤモンド薄膜を用いた薄膜電子源。
FI (2件)：
H01J 1/30 M
, H01J 1/30 A
