特許

J-GLOBAL ID：200903075340567809

半導体装置及びその製造方法

発明者： 真有 浩一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301139
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130893
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 浮遊ゲートに注入した電荷について高い維持特性を得ると同時に、高速動作を実現し且つメモリ部の設計の自由度を高める。【構成】 メモリセル11では、多結晶Si層31が浮遊ゲート、拡散層21が制御ゲート、高融点金属層33がメモリセル11内の配線等になっている。周辺回路部では、多結晶Si層32と高融点金属層34とから成るポリサイド層36がトランジスタ12のゲート電極になっている。このため、多結晶Si層31の表面の熱酸化等によって、浮遊ゲートの周囲に良質の絶縁膜26を形成することができる。

請求項（抜粋）：

メモリ部の浮遊ゲートが半導体層から成っており、この半導体層上に絶縁膜を介して高融点金属層が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/46 D ,  H01L 29/62 G