特許
J-GLOBAL ID：200903075342525917
赤外線検出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268179
公開番号（公開出願番号）：特開平9-113353
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 応答速度の向上が図られ出力信号の低下を抑制し感度の優れた赤外線検出素子。【解決手段】 半導体基板1の空洞部2を介して形成されたダイアフラム3上に、温接点7と冷接点8を備えた赤外線検知部と赤外線吸収領域12を有し、冷接点8が素子の中央部及び外縁部に形成された赤外線検出素子。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面に形成された空洞部と、該半導体基板から前記空洞部を介して形成された低熱伝導性のダイアフラムまたはメンブレンと、該ダイアフラムまたはメンブレン上に、冷接点と温接点を備える赤外線検知部、及び赤外線吸収領域を有する赤外線検出素子において、前記赤外線検知部の冷接点は、前記赤外線検出素子の中央部及び外縁部に形成されていることを特徴とする赤外線検出素子。
IPC (3件)：
G01J 1/02
, G01J 5/12
, H01L 35/32
G01J 1/02 C
, G01J 5/12
, H01L 35/32 A
