特許

J-GLOBAL ID：200903075349158979

ウェファー表面上に多成分系デバイス層を形成させる方法

発明者： マティアス イルク ,  マルクス キルヒョフ ,  クリストフ ヴェルナー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349635
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189563
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 デバイス二次加工においてウェファーの断面に亘る物質の実質的に均一な分布を達成させるための層を形成させる技術および機構を改善する。【解決手段】 少なくとも1つのウェファーをサスセプター上に備えさせ;サスセプターを回転させ;第1の成分を有する第1の化学物質を反応室の第1のセグメント中に流入させ;第2の成分を有する第2の化学物質を反応室の第2のセグメント中に流入させ;かつ第1のセグメントが第1の成分の拡散通路を効果的に減少させるのに十分な割合で第2のセグメントの領域よりも大きい領域を有し、デバイス層内に第1の成分のよりいっそう均一な分布を生じさせる。

請求項（抜粋）：

デバイスの二次加工においてウェファー表面上に多成分系デバイス層を形成させ、この場合第1の成分および第2の成分を有するデバイス層は、少なくとも1つのウェファーを支持しかつ第1のセグメントおよび第2のセグメントを交互に配置する反応室中で形成される方法において、少なくとも1つのウェファーをサセプター上に備え;サセプターを回転させ;第1の成分から成る第1の化学物質を反応室の第1のセグメント中に流入させ;第2の成分から成る第2の化学物質を反応室の第2のセグメント中に流入させ;第1のセグメントが第1の成分の拡散通路を有効に減少させるのに十分な割合で第1のセグメントの領域よりも大きい領域を有し、層内で第1の成分のよりいっそう均一な分布を生じることを特徴とする、ウェファー表面上に多成分系デバイス層を形成させる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N