半導体基板の温度制御装置及び熱交換プレート

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上村輝之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140392
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230199
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハのレジストベーキング工程で、ヒーティングプレート上に載置された半導体ウェハの温度をオーバシュートなしに短時間で目標温度に到達させる。【解決手段】ウェハの直径をD〔mm〕、ヒーティングプレートの熱容量をCp〔J/K〕としたとき、Cp≦20×D-2000という条件を満たす小さい熱容量のプレートを用いる。ウェハをプレートに載置する前又は載置とほぼ同時に、プレートの目標温度をウェハの目標温度(例えば150°C)より5°Cから10°C程度高くして、ウェハを高速に加熱する。ウェハ温度が目標温度150°Cに近づいたら、プレートの目標温度を、ウェハを目標温度150°Cで維持するための温度(例えば、151°C)に落とす。すると、プレートの熱容量が小さいため、ウェハ温度はオーバーシュートすることなく速やかに(ウェハ載置から20秒以内に)目標温度150°Cに到達して整定する。

請求項（抜粋）：

温度制御対象の半導体基板が載置される、ヒータを有した熱交換プレートと、前記ヒータのパワーを制御する制御装置とを備え、前記半導体基板の直径をD〔mm〕としたとき、前記熱交換プレートの熱容量Cp〔J/K〕が、Cp≦20×D-2000の条件を満たす半導体基板の温度制御装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G05D 23/19

FI (2件)：

G05D 23/19 A , H01L 21/30 567

Fターム (21件)：

5F046KA04 , 5H323AA02 , 5H323AA05 , 5H323AA40 , 5H323CA06 , 5H323CB03 , 5H323CB23 , 5H323CB33 , 5H323CB44 , 5H323DA01 , 5H323DA04 , 5H323EE03 , 5H323EE05 , 5H323FF03 , 5H323FF04 , 5H323FF10 , 5H323KK05 , 5H323LL01 , 5H323LL02 , 5H323LL07 , 5H323MM06

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