半導体メモリ装置の内部電源電圧発生回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211060
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205469
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】電気的プログラムにより、所望の電圧レベルや外部電源電圧レベルと同等のレベルの内部電源電圧を発生できるような内部電源回路の提供。【構成】チップのピンと連結されたパッド10に接続され、パッド10に印加される電圧を感知する電圧感知部100と、電圧感知部100で感知された電圧を継続維持する役割をもつラッチ部200と、ラッチ部200の出力に応じて、基準電圧発生部50から供給される基準電圧Vref又は外部電源電圧ext.Vccレベルの電圧の何れかを選択的に出力する基準電圧制御部300と、基準電圧制御部300の出力に応じて内部電源電圧int.Vccを発生する内部電源電圧発生部400とからなる。

請求項（抜粋）：

第1電位レベルの外部電源電圧を所定レベル程降下させた第2電位レベルの内部電源電圧によって動作する半導体メモリ装置の内部電源電圧発生回路において、所定のパッドにかかる電圧を感知する電圧感知部と、電圧感知部の出力に応じて、基準電圧又は外部電源電圧の何れかのレベルの電圧を選択的に出力する基準電圧制御部と、基準電圧制御部の出力に応じて内部電源電圧を発生する内部電源電圧発生部とを備えていることを特徴とする内部電源電圧発生回路。

IPC (5件)：

G11C 11/407 , G11C 5/14 , G11C 11/413 , G11C 11/401 , G11C 29/00 303

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 335 A , G11C 11/34 371 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-160699
特開昭60-020396
特開平2-299034

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