特許

J-GLOBAL ID：200903075353438820

ウェハのCVD処理方法及び装置

発明者： 永仮 靖貴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067743
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 ベルト駆動型常圧CVD処理において、水平に配設されたベルト上にウェハを供給し、該ウェハに対して真上から成膜用ガスを噴射すべくガス供給手段が設けられているので、該ガス供給手段からのダストが処理中のウェハ上に落下して汚染されること、及び下向きに位置しているガス供給手段の清掃作業に困難性を有していること。【解決手段】 ウェハを水平面より少なくとも30°傾斜させた状態で搬送すると共に、搬送されるウェハと直交する方向から成膜用ガスを供給し、ウェハの背面側から加熱して成膜するようにしたウェハのCVD処理方法、及び加熱手段を備えた成膜領域においてウェハを水平面より少なくとも30°傾斜させて搬送する搬送手段と、該搬送手段に対峙して設けた成膜用ガス供給手段とからなるウェハのCVD処理装置であって、ウェハを傾斜させて搬送し、且つ成膜用ガス供給手段を実質的に横向きにしたことで、成膜用ガス供給手段からのダストがウェハ上に落下しなくなり、クリーンなCVD処理が遂行できる。

請求項（抜粋）：

ウェハを水平面より少なくとも30°傾斜させた状態で搬送すると共に、搬送されるウェハと直交する方向から成膜用ガスを供給し、ウェハの背面側から加熱して成膜することを特徴とするウェハのCVD処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 A