特許
J-GLOBAL ID：200903075356132357
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284457
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132501
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 アンチヒュ-ズ膜形成時の熱処理による、素子のショ-トチャンネル効果等の特性劣化を防止する。【構成】 所定領域に薄い絶縁膜7を形成し、その上に上部電極3を形成し、次に薄い絶縁膜7を介して、基板上に不純物を注入し、次に注入された不純物を拡散させ、上部電極3下方に不純物拡散層としての下部電極8を形成する。
請求項（抜粋）：
上部電極と下部電極とを絶縁する薄い絶縁膜を基板上に形成して、この薄い絶縁膜を電気的に破壊することで上部電極と下部電極を導通させて書き込みできる半導体装置を形成するに際して、その所定領域に薄い絶縁膜を形成し、その上に上部電極を形成し、次に薄い絶縁膜を介して、基板上に不純物を注入し、次に注入された不純物を拡散させ、上部電極下方に不純物拡散層としての下部電極を形成することよりなる半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 433
, H01L 21/82 F
