特許

J-GLOBAL ID：200903075356356336

プラズマ処理装置

発明者： 川村 剛平 ,  樋口 公博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン山梨株式会社 ,  科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-223123
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054489
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 処理室内に励起された均一なプラズマにより被処理体に対して常時均一なプラズマ処理を施すことが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内には,サセプタ108と上部電極110とが対向配置される。サセプタ108には,整合器126を介して高周波電源128が接続される。整合器126の出力側には,Vpp検出器130が接続されると共に,このVpp検出器130には,高周波電源128に接続された制御器132が接続される。Vpp検出器130により測定される高周波電力のVppが常時一定に維持されるように,高周波電源128から出力される高周波電力のパワーを制御器132によって制御する。

請求項（抜粋）：

気密な処理室内に配置された電極に対して高周波電力を印加することにより,前記電極上に載置された前記被処理体に対してプラズマ処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において:前記高周波電力を出力する高周波電源と前記電極の間に介装された整合器の出力側のVppを測定するVpp検出手段と;前記Vppに基づいて,前記高周波電力のパワーを制御する電力制御手段と;を備えたことを特徴とする,プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 F ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 E