特許
J-GLOBAL ID：200903075358265311
半導体装置のキャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309547
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232344
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体装置のキャパシタを提供する。【構成】 前記第1電極11の上部に高誘電物質及び強誘電物質の中から選択されたいずれか一つで製造された誘電体膜13及び前記誘電体膜の上部に耐熱性金属膜又は耐熱性金属の窒化膜の中から選択されたいずれか一つ及びその上部に形成された緩衝膜を備える第2電極14,15を具備する半導体装置のキャパシタである。これにより、製造工程の中熱負荷による特性の劣化が防止され優れた特性を有する。
請求項（抜粋）：
第1電極、前記第1電極の上部に形成された誘電体膜及び前記誘電体膜の上部に形成された第2電極を具備する半導体装置のキャパシタにおいて、前記誘電体膜が高誘電物質及び強誘電物質の中から選択されたいずれか一つで製造されたものであり、前記第2電極は耐熱性金属膜又は耐熱性金属の窒化膜の中から選択されたいずれか一つ及びその上部に形成された緩衝膜よりなることを特徴とする半導体装置のキャパシタ。
IPC (2件)：
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