半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252315
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097789
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】半導体のゲート酸化膜形成工程において、ゲート酸化膜形成直前にシリコン表面近傍の無欠陥化と、かつ重金属汚染、マイクロラフネスの増加を押さえる。これにより後のプロセスで形成されるゲート酸化膜の膜質をあげ電気特性を向上させ、半導体の歩留まりを向上させる。【解決手段】シリコンウエーハ1を弱酸化性雰囲気で入炉し1000°C以上の高温で熱処理を行う。この時シリコンウエーハ表面近傍の微小欠陥2が外方拡散し、かつシリコンウエーハ1の表面に形成される酸化膜4に重金属汚染物が取り込まれる。この後雰囲気を水素雰囲気に変更することによりシリコンウエーハ1の表面に形成されている酸化膜4を還元し、かつ重金属汚染物3の除去・洗浄が行われる。その後所望の条件でゲート酸化膜6を形成すると高耐圧ゲート酸化膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

酸化性雰囲気中で半導体基板に所定期間熱処理を施すことにより、前記半導体基板の主面に第1の酸化膜を形成する第1の工程と、前記主面に前記第1の酸化膜が形成された状態の前記半導体基板を還元性雰囲気中に置いて、前記第1の酸化膜を除去し、前記半導体基板を露出表面として露出させる第2の工程と、前記半導体基板の前記露出表面に第2の酸化膜を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-193459
特開平3-203236
特開平3-160720

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