特許
J-GLOBAL ID：200903075365975910
半導体発光素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214369
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078725
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 特性変化やばらつきのない、優れた半導体発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n-GaAs基板1、n-InGaAlPクラッド層2、ノンドープInGaAlP活性層3、p-InGaAlPクラッド層4、p-AlGaAsウィンドウ層5、p-GaAsコンタクト層8をMOCVD法で連続的に結晶成長する際に、そのp型部位の成長時にZnと同時にBeをドーピングする。その後電極8、9を蒸着する。
請求項（抜粋）：
AlGaInP系の化合物半導体を用いたpn接合から成る発光部を有する半導体発光素子において、p型の伝導を示す領域に、Zn及びBeを同時にドーピングすることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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