特許

J-GLOBAL ID：200903075375227300

磁気記録媒体および磁気記録装置

発明者： 松尾 武士 ,  阿部 芳巳 ,  柴山 雅子
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330548
公開番号（公開出願番号）：特開2000-155932
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 フライスティクションによる摩擦係数の増加を抑制し、高密度記録媒体に適した磁気記録媒体および、これを用いた磁気記録装置を提供する。【解決手段】 潤滑層が以下の一般式(I)で示される水酸基変成パーフルオロポリエーテルを含有することを特徴とする磁気記録媒体。HOCH2 CF2 O-(A-O-A′-O)x -CF2 CH2 OH (I)(A、A′はCF2 またはC2 F4 を示し、CF2 とC2 F4 の数の比が2:1〜1:2で、xは10〜500を示す。)

請求項（抜粋）：

非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層をこの順に設けてなり、かつ潤滑層が以下の一般式(I)で示される水酸基変成パーフルオロポリエーテルを含有する磁気記録媒体であって、潤滑層からの飛行時間型質量分析により検出される二次イオン強度が以下の(a)および(b)を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。【化1】 HOCH2 CF2 O-(A-O-A′-O)x -CF2 CH2 OH (I)(但し、A、A′はCF2 またはC2 F4 を示し、CF2 とC2 F4 の数の比が2:1〜1:2であり、xは10〜500を示す。)(a):x軸がCF3 + (69amu)とC2 F5 + (119amu)との強度比(CF3 + /C2 F5 + )、y軸がC2 OF4 + (116amu)とC2 F4+ (100amu)との強度比(C2 OF4 + /C2 F4 + )であるグラフにおいてy≦-0.16x+0.17。(b):x軸がCF3 + (69amu)とC2 F5 + (119amu)との強度比(CF3 + /C2 F5 + )、y軸がC2 H3 OF2 + (81amu)とC2 F4 + (100amu)との強度比(C2 H3 OF2 + /C2 F4 + )であるグラフにおいてy≦0.1。

IPC (4件)：

G11B 5/725 ,  C10M107/38 ,  C10N 20:04 ,  C10N 40:18

FI (2件)：

G11B 5/72 L ,  C10M107/38

Fターム (10件)：

4H104CD04A ,  4H104EA03A ,  4H104PA16 ,  5D006AA01 ,  5D006AA02 ,  5D006AA05 ,  5D006AA06 ,  5D006CB04 ,  5D006DA03 ,  5D006FA00