特許

J-GLOBAL ID：200903075380983341

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 中平 順也 ,  清利 正弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282554
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 原料ガスインジェクタ内に残留した原料ガスを除去することにより良好な膜を成膜することを課題とする。【解決手段】 内部の半導体ウェハ上に化学気相堆積を行うための反応室(124)と、反応室内に原料ガスを供給するための原料ガスインジェクタ(125)と、反応室内のみならず原料ガスインジェクタ内をも減圧するための真空ポンプ(106,107)とを有する半導体装置の製造装置が提供される。

請求項（抜粋）：

原料ガスインジェクタを介して反応室内に原料ガスを供給することにより、前記反応室内の半導体ウェハ上に膜を化学気相堆積させる成膜ステップと、前記反応室内のみならず前記原料ガスインジェクタ内をも減圧する減圧ステップとを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/455

Fターム (21件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  5F045AA04 ,  5F045AC16 ,  5F045AE19 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB12 ,  5F045EE02 ,  5F045EE14 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EG03 ,  5F045EG05