酸化物超電導体積層体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉名謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-319824
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：

【要約】【目的】大電流を損失なく小断面積でかつ低熱侵入量で伝送することのできる電流リード等の用途に適した超電導体積層体を得る。【構成】溶融凝固後にReBa2 Cu3 Oy の結晶を生成し得る酸化物層を基体上に積層し、種結晶となり得る単結晶の1個または2個以上を、該酸化物層に接して配置し、該酸化物層をReBa2 Cu3 Oy の分解溶融温度以上に加熱した後、温度勾配下で一方向に凝固することによりc軸を通電方向に垂直に配向成長させる。

請求項（抜粋）：

溶融凝固後にReBa2 Cu3 Oy (ReはY,Lu,Yb,Tm,Er,Ho,Dy,Gd,Eu,Sm,Nd,Pr,Laからなる群より選ばれた1種以上)の結晶を生成し得る酸化物層を基体上に積層し、ReBa2 Cu3 Oy が融液から結晶成長する際に種結晶となり得る単結晶の1個または2個以上を、該酸化物層に接して配置し、該酸化物層をReBa2 Cu3 Oy の分解溶融温度以上に加熱した後、温度勾配下で一方向に凝固することにより上記単結晶を種結晶として、ReBa2 Cu3 Oy 結晶をc軸が通電方向に垂直に配向成長させる酸化物超電導体積層体の製造方法。

IPC (8件)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 , C30B 1/06 , C30B 29/22 501 , C30B 29/22 , H01B 12/06 ZAA , H01B 13/00 565 , H01L 39/24 ZAA

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