特許
J-GLOBAL ID：200903075385569780
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072912
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274314
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】電子線照射によりライフタイムを制御した絶縁ゲート型の半導体装置のゲート電極を分割し、耐圧不良のゲート電極上に絶縁材料を被着してゲート端子と絶縁し、半導体装置全体の動作から切り離す半導体装置の製造方法において、絶縁材料の熱処理による半導体装置の特性の劣化を防止する。【構成】絶縁材料として例えば、エーテル結合やシロキサン基を有するシリコーン樹脂を含むポリイミド樹脂など、電子線照射後の熱処理温度(Ta)よりガラス転移温度(Tg)の低い絶縁材料を用い、Tg+30≦T≦Ta+30なる温度Tで熱処理する。
請求項（抜粋）：
電子線照射を経た半導体基板の一主面上に主電流を流す主電極およびその主電極に絶縁された主電流制御用の複数のゲート電極を備え、そのゲート電極にそれぞれゲートパツドが接続され、各ゲートパツドを被覆する絶縁膜上にゲート端子と接続される配線が設けられ、主電極との間の耐圧値が規定値を満足しないゲート電極に接続されるゲートパツドは、ゲートパッド上に絶縁材料を被着して、ゲート端子と絶縁されるものにおいて、ガラス転移温度が電子線照射後の熱処理温度より低い絶縁材料を用いたことを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 301 N
, H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 655 C
