特許

J-GLOBAL ID：200903075385962890

半田バンプの形成方法

発明者： 柄澤 一明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062388
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260847
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 半田バンプを形成する際のフラックスの残渣や、半田バンプの形状不良等を抑制しうる半田バンプの形成方法を提供する。【解決手段】 基板10の電極上に、半田バンプを形成する半田バンプ形成工程と、基板10の周囲を治具18により囲い、基板10上及び治具18上にフラックス21を塗布するフラックス塗布工程と、フラックス21が塗布された基板10及び治具18を加熱することにより基板10上の半田バンプ16aを溶解し、半田バンプをほぼ球形状に成形する加熱工程とを有している。

請求項（抜粋）：

基板の電極上に、半田バンプを形成する半田バンプ形成工程と、前記基板の周囲を治具により囲い、前記基板上及び前記治具上にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、前記フラックスが塗布された前記基板及び前記治具を加熱することにより前記基板上の前記半田バンプを溶解し、前記半田バンプをほぼ球形状に成形する加熱工程とを有することを特徴とする半田バンプの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  H05K 3/34 502 ,  H05K 3/34 503 ,  H05K 3/34 505

FI (5件)：

H01L 21/92 604 A ,  H05K 3/34 502 Z ,  H05K 3/34 503 A ,  H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/92 604 B