特許

J-GLOBAL ID：200903075393228410

結晶成長法

発明者： 飯野 貴幸
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358893
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182969
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 InXGa(1-X)N(0≦X≦1)で表される三族窒化物の発光素子の製造過程で、電気伝導性のあるGaAs基板を用いることを可能とする結晶成長法を提供する。【解決手段】 気相成長法において、基板温度を900°C以上に加熱した状態で成長を行い、成長基板であるGaAs結晶を成長温度まで上昇する過程で、成長基板上面にアルシンガスを吹き付ける。そして、室温から成長基板を加熱した場合、基板温度がおおむね600°Cを超えた時点からアルシンガスを導入し、成長基板上に目的の結晶を成長させる過程では、目的金属と無関係のアルシンガスの導入は行わない。

請求項（抜粋）：

InXGa(1-X)N(0≦X≦1)で表される三族窒化物の気相成長法による結晶成長法において、成長基板にGaAs結晶を使用することと、該基板結晶を900°C以上に加熱することと、その昇温過程において成長容器内にアルシンガスを導入することとを特徴とする結晶成長法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

Fターム (36件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB01 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077SC02 ,  4G077SC08 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC17 ,  4G077TK10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045EE13