特許
J-GLOBAL ID：200903075393948898
ヘテロ接合ホール素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293630
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147436
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 GaInAs/InPヘテロ接合ホール素子の感度の向上を図る。【構成】 GaInAs感磁層のキャリア濃度を表面よりInPとのヘテロ界面に向かって増加させる。【効果】 高電子移動度が発現され高感度なGaInAs/InPヘテロ接合ホール素子を顕現する。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体のヘテロ接合を感磁部としたホール素子において、感磁部半導体層の表面からヘテロ接合界面方向に対してキャリア濃度が増加しているヘテロ接合層を具備してなるヘテロ接合ホール素子。
IPC (2件)：
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