シリコン系薄膜及び光起電力素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323521
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134772
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】コストが安く、産業的に実用レベルにあるプロセス時間で可能な成膜速度で、特に凸凹な表面形状を持つ基板上において、光電特性の優れた光起電力素子を提供すること。【解決手段】基体上に形成された結晶相を含むシリコン系薄膜において、前記シリコン系薄膜が、表面の断面形状fのサンプリング長dxが20nmから100nmの範囲で傾斜角arctan(df/dx)の標準偏差が15°から55°である形状の上に形成され、前記シリコン系薄膜のアモルファス成分に起因するラマン散乱強度が結晶成分に起因するラマン散乱強度以下であり、前記基体に平行な方向の面間隔と、単結晶シリコンの面間隔との差が、単結晶シリコンの面間隔に対して0.2%〜1.0%の範囲であることを特徴とするシリコン系薄膜。

請求項（抜粋）：

断面形状が関数fで表わされる表面上に形成された結晶相を含むシリコン系薄膜において、前記シリコン系薄膜が、サンプリング長dxが20nmから100nmの範囲で傾斜角arctan(df/dx)の標準偏差が15°から55°である形状の上に形成され、前記シリコン系薄膜のアモルファス成分に起因するラマン散乱強度が結晶成分に起因するラマン散乱強度以下であり、前記基体に平行な方向の面間隔と、単結晶シリコンの面間隔との差が、単結晶シリコンの面間隔に対して0.2%〜1.0%の範囲であることを特徴とするシリコン系薄膜。

IPC (4件)：

H01L 31/04 , C30B 29/06 504 , H01L 21/205 , H01L 31/10

FI (4件)：

C30B 29/06 504 A , H01L 21/205 , H01L 31/04 X , H01L 31/10 A

Fターム (36件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB18 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077HA05 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045AF10 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA61 , 5F045DA65 , 5F045DP22 , 5F045DQ12 , 5F049MA01 , 5F049MB02 , 5F049PA03 , 5F049PA11 , 5F049PA18 , 5F049SS01 , 5F051AA01 , 5F051CA16 , 5F051CA34 , 5F051CB24 , 5F051CB25 , 5F051CB29 , 5F051GA02

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