特許

J-GLOBAL ID：200903075403909756

半導体受光装置用反射防止膜

発明者： 松岡 新吾 ,  長山 匡
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-260371
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107312
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 膜厚の制御性が良く、半導体受光装置としての信頼性も良く、更に、透過率も向上させることが出来る半導体受光装置用反射防止膜を提供する。【解決手段】 光が入射される「半導体受光装置」としてのフォトダイオード1の「受光部」としての受光部拡散層3上に反射防止を目的として形成される反射防止膜4において、SiNx膜10とSiO2膜9の二層構造の薄膜からなる。

請求項（抜粋）：

光が入射される半導体受光装置の受光部上に反射防止を目的として形成される反射防止膜において、SiNx膜とSiO2膜の二層構造の薄膜からなることを特徴とする半導体受光装置用反射防止膜。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  G02B 1/11 ,  H01L 21/318 ,  H01L 31/02

FI (4件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/318 M ,  G02B 1/10 A ,  H01L 31/02 B