特許
J-GLOBAL ID：200903075406906804
零電圧スイッチング方式駆動回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011593
公開番号（公開出願番号）：特開平5-207730
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 スイッチングコンバータ等のスイッチ素子をインバータ回路により駆動する場合に、高周波による損失の増大を低減させ省電力化を達成する。【構成】 PMOSFET3とNMOSFET5から成るインバータ回路の出力と主スイッチ用NMOSFET7のゲートとをインダクタ11を介して接続し、NMOSFET7のゲート・ソース間及びゲートと直流電源1の間にダイオード9,10を接続し、各MOSFET3,5を両方がオフとなる休止期間を挟んで交互にオンオフさせ、各MOSFET3,5を零電圧スイッチングさせる。【効果】 各MOSFET3,5の出力容量は、休止期間中にインダクタ11の電流により零電圧まで放電し、オン時に各MOSFET3,5内部で消費される損失は生じない。又、休止期間と休止期間に続く回路動作により、NMOSFET7の入力容量に充電された電荷が直流電源1に回生され、省電力となる。
請求項（抜粋）：
直流電源と並列にPMOSFETと第一のNMOSFETを直列接続したインバータ回路を設け、前記インバータ回路の出力と駆動対象の第二のNMOSFETのゲートとをインダクタを介して接続し、第二のNMOSFETのゲート・ソース間にソース側をアノードとする方向で第一のダイオードを接続し、第二のNMOSFETのゲートと該直流電源の間にゲート側をアノードとする方向で第二のダイオードを接続し、前記PMOSFETと第一のNMOSFETを両方がオフとなる休止期間を挟んで交互にオンオフさせることを特徴とする零電圧スイッチング方式駆動回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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