特許

J-GLOBAL ID：200903075408564889

優先配向を有するITO薄膜作成方法

発明者： 亀井 雅之
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230132
公開番号（公開出願番号）：特開平7-084274
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【構成】基体上に、ITO膜を作成する方法において、該基体は、少なくともその表面層は結晶の優先配向方向を有する物質であることを特徴とするITO膜作成方法。【効果】ITO膜に優先配向を与えることができ、さらに基板垂直方向の配向性も改善される結果、粒界が減少し密度が上昇し、主に膜のキャリア移動度が上昇し、低比抵抗のITO膜を得ることが可能となり、さらにエッチング特性も改善される。

請求項（抜粋）：

基体上に、錫を含有する酸化インジウム透明電導膜(ITO)作成する方法において、該基体は、少なくともその表面層は結晶の優先配向方向を有する物質であることを特徴とするITO膜作成方法。

IPC (7件)：

G02F 1/1343 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/08 ,  C30B 29/16 ,  H01B 13/00 503