特許

J-GLOBAL ID：200903075413404172

半導体レーザ装置

発明者： 佐川 みすず ,  平本 清久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265450
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112077
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、不純物注入による端面透明化構造を有する半導体レーザ装置において、良好な電流狭窄構造を有する半導体レーザ装置を提供することにある。【解決手段】 共振器長方向の一部の活性層に不純物添加したのちにさらに半導体基板と同導電型である半導体層形成を行った後に共振器方向に沿ってストライプ状に活性層には到達しないリッジを形成し、該リッジを半導体層で埋め込むことにより他の部分よりも実効屈折率の高い領域を有する半導体レーザ装置において、上記リッジを埋め込む半導体層が導電帯の異なる2層以上から形成し、さらに、該不純物添加した領域上を基板と同導電性の半導体層により埋め込まれた構造により構成される。【効果】 本発明により、不純物注入による端面透明化構造を有する半導体レーザ装置において、良好な電流狭窄構造を有する半導体レーザ装置を実現した。このため、高出力半導体レーザにおいて高信頼化を実現した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に光を発生する活性層と光を閉じ込める半導体クラッド層と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造と共振器長方向の一部の活性層に不純物添加した後にさらに半導体基板と同導電型である半導体層形成を行った後に共振器方向に沿ってストライプ状に活性層には到達しないリッジを形成し、該リッジを半導体層で埋め込むことにより他の部分よりも実効屈折率の高い領域を有する半導体レーザ装置において、上記リッジを埋め込む半導体層が導電帯の異なる2層以上から形成されることを特徴とする半導体レーザ装置。