薄膜トランジスタおよび液晶表示装置用アクティブマトリックスアレイとそれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053553
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246558
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】ドーピング工程数を増すことなくLDD構造を実現し、薄膜トランジスタのOff電流を低減する。【解決手段】ガラス基板11にバッファー層となる酸化シリコン膜12を形成し、その上に多結晶シリコン薄膜13を形成し活性層の形状にする。薄膜13の上に、酸化シリコンを用いてゲート絶縁膜14を、およびZr濃度10原子%のAl-Zr合金を用いてゲート電極15を形成する。ゲート電極15の一部および薄膜トランジスタの低濃度不純物注入領域上を被覆するように窒化シリコン膜16を形成した後、リンイオンを用いて不純物注入を行う。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン薄膜を活性層に有し、チャネル領域とソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物注入量域を有する薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタ表面の全体を被覆するゲート絶縁膜を備え、かつゲート電極の一部を被覆するように形成され前記ゲート絶縁膜とは異なる材料からなる絶縁膜を低濃度不純物注入領域の不純物注入マスクとして備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G09F 9/30 338

FI (3件)：

H01L 29/78 616 A , G09F 9/30 338 K , H01L 29/78 612 B

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