特許
J-GLOBAL ID：200903075418910475
SiC単結晶の液相エピタキシャル成長装置と製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198421
公開番号（公開出願番号）：特開平6-048897
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：
【要約】【目的】 SiC基板表面上にSi融液が残存するのを抑制できる炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置と製造方法を提供することが目的である。【構成】 温度勾配をもつケイ素融液6中に、基板ホルダ8により保持された炭化ケイ素単結晶基板9を浸漬して、この基板9上に炭化ケイ素エピタキシャル成長層を形成した後、基板9をケイ素融液6から引き上げる際に、基板ホルダ8を回転装置10により高速回転する。
請求項（抜粋）：
ケイ素融液が充填された黒鉛ルツボと、該ルツボの外側に配設された高周波誘導加熱コイルと、前記ケイ素融液中に基板ホルダにより保持され、浸漬される炭化ケイ素単結晶基板とを備えた炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置において、該基板ホルダに超音波発生装置を機械的に関連付け、前記基板をケイ素融液より引き上げる際に前記超音波発生装置を動作することを特徴とする炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 19/06
, H01L 21/208
