特許

J-GLOBAL ID：200903075437996720

半導体装置の製造方法

発明者： 望月 圭子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357533
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186224
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン酸化膜のシリコン窒化膜に対するエッチング選択比を大幅に向上でき、段差を有するシリコン窒化膜の上に形成された平坦なシリコン酸化膜を効果的に、かつ簡便な方法でエッチングすることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 反応性イオンエッチングにより半導体基板の表面を処理するようにしてなる半導体装置の製造方法において、水素結合を持たないフロロカーボン系ガスを含む第1の処理ガスを用いて、段差を有するシリコン窒化膜30の上部平坦面に対して選択的にシリコン酸化膜をエッチングする第1の工程と、水素結合を有するフロロカーボン系ガスとCOガスとを含む第2の処理ガスを用いて、第1の工程でエッチングされなかった段差を有するシリコン窒化膜30の側壁に対して選択的にシリコン酸化膜の残部および段差を有するシリコン窒化膜の下部平坦面をエッチングする第2の工程とからなる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

反応性イオンエッチングにより半導体基板の表面を処理するようにしてなる半導体装置の製造方法において、水素結合を持たないフロロカーボン系ガスを含む第1の処理ガスを用いて、段差を有するシリコン窒化膜の上部平坦面に対して選択的にシリコン酸化膜をエッチングする第1の工程と、水素結合を有するフロロカーボン系ガスとCOガスとを含む第2の処理ガスを用いて、前記第1の工程でエッチングされなかった前記段差を有するシリコン窒化膜の前記上部平坦面と側壁に対して選択的に前記シリコン酸化膜の残部および前記段差を有するシリコン窒化膜の下部平坦面をエッチングする第2の工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。