特許
J-GLOBAL ID：200903075438174465
電気的消去・書き込み可能な不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292839
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150688
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】電気的消去・書き込み可能な不揮発性メモリにおいて、冗長メモリセルブロックの構成を変える事で、チップサイズの増大を防ぐ事。【構成】1ディジットラインに継がる単位メインメモリセルブロックの集合体であるメインメモリブロック4において、ソースラインを、ワードラインに継がる単位メインメモリセルブロック3で互いに電気的に分離し、その分離された、ソースラインS各々に、ソースラインレベル供給回路5を備え、さらにワードラインWに継がる単位メインメモリセルブロックと同一構成の冗長メモリセルブロック6及び冗長メモリセルブロック用ソースラインベル供給回路7を1組とした冗長ブロックを、1組以上備えている。
請求項（抜粋）：
同一ディジットラインに継がる多数のメモリセルからなるメモリセル群が、多数備えられた電気的消去・書き込み可能な不揮発性メモリにおいて、前記多数のメモリセル群の内、同一ワードラインに継がるメモリセルからなるメモリセル群のソースラインを互いに電気的に分離し、その分離されたソースラインの各々に、ソースラインレベル供給回路を設け、前記ソースラインを互いに電気的に分離したメモリセル群と前記ソースラインレベル供給回路とからなる回路と同一の冗長回路を、前記ディジットラインに接続したことを特徴とする電気的消去・書き込み可能な不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 16/06
