特許
J-GLOBAL ID：200903075438993377
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280255
公開番号（公開出願番号）：特開平8-147980
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 消費電力が小さくかつ誤書込みが生じないSRAMを提供することである。【構成】 書込イネーブルバッファ26からの内部書込イネーブル信号/WE1およびDTDバッファ30からのデータ遷移検出信号/DTDがともにLレベルのときだけ、書込ドライバ24が活性化されるように構成した。
請求項（抜粋）：
メモリセルと、外部から供給される入力データの変化または外部から供給される書込制御信号のいずれかに応答して、所定期間の間データ遷移検出信号を発生する信号発生手段と、前記書込制御信号および前記データ遷移検出信号がともに供給されるとき、前記入力データを前記メモリセルに書込むデータ書込手段とを備えた半導体記憶装置。
引用特許：
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