特許

J-GLOBAL ID：200903075440936348

コンタクト孔形成方法

発明者： 周藤 祥司 ,  市橋 由成
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246716
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097289
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁膜の厚みが不均一であり、またコンタクト孔のアスペクト比が高くとも、コンタクト抵抗を増加させることなく、また断線を生じる虞のないコンタクト孔を形成する方法を提供すること。【構成】 Si基板1上に絶縁膜2,第1Al配線膜3,TiN膜4,層間絶縁膜5及びフォトレジスト膜6をこの順に堆積し、パターニングしたフォトレジスト膜6をマスクとして層間絶縁膜5を貫通しTiN膜4に達する第1の孔H1を形成する。フォトレジスト膜6を除去した層間絶縁膜5をマスクとして、TiN膜4を貫通し第1の孔H1から第1Al配線膜3に達する第2の孔H2を形成すると共に、第1の孔H1の開口部E,Eを傾斜面状にエッチングした後、第2Al配線膜7をスパッタリングする。

請求項（抜粋）：

第1Al配線膜と第2Al配線膜との間の絶縁膜に、両Al配線膜を接続するためのコンタクト孔を形成する方法において、前記第1Al配線膜上に、Alより反射率が低い金属膜,前記絶縁膜及びレジスト膜をこの順に堆積する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜を貫通して前記金属膜に達する第1の孔を形成する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記絶縁膜をマスクとして前記金属膜を貫通して前記第1の孔から前記第1Al配線膜に達し前記第1の孔と合わせてコンタクト孔となる第2の孔を形成すると同時的に前記第1の孔の開口部に傾斜面を形成する工程とを有することを特徴とするコンタクト孔形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-012859
  
• 特開平1-266746
  
• 特開平2-270347